Siri tiub tunggal 800nmAPD
Ciri fotoelektrik (@Ta=22±3℃) | |||||
Model | GD5210Y-1-2-T046 | GD5210Y-1-5-T046 | GD5210Y-1-2-LCC3 | GD5210Y-1-5 -LCC3 | |
Borang pakej | KE-46 | KE-46 | LCC3 | LCC3 | |
Diameter permukaan fotosensitif (mm) | 0.23 | 0.50 | 0.23 | 0.50 | |
Julat tindak balas spektrum (nm) | 400~1100 | 400~1100 | 400~1100 | 400~1100 | |
Panjang gelombang tindak balas puncak (nm) | 800 | 800 | 800 | 800 | |
λ=800nm Φ=1μW M=100(A/W) | 55 | 55 | 55 | 55 | |
Arus gelap | tipikal | 0.05 | 0.10 | 0.05 | 0.10 |
M=100(nA) | maksimum | 0.2 | 0.4 | 0.2 | 0.4 |
Masa tindak balas λ=800nm R1=50Ω(ns) | 0.3 | 0.3 | 0.3 | 0.3 | |
Pekali suhu voltan kerja T=-40℃~85℃(V/℃) | 0.5 | 0.5 | 0.5 | 0.5 | |
Jumlah kapasiti M=100 f=1MHz(pF) | 1.5 | 3.0 | 1.5 | 3.0 | |
Voltan pecahan IR=10μA(V) | Minimum | 80 | 80 | 80 | 80 |
maksimum | 160 | 160 | 160 | 160 |
Struktur Cip Satah Hadapan
Tindak balas kelajuan tinggi
Keuntungan yang tinggi
Kapasiti simpang rendah
Bunyi rendah
Jarak laser
Lidar
Amaran laser