Siri PIN

Siri PIN

  • Siri Modul 850nmPIN

    Siri Modul 850nmPIN

    Peranti ini adalah modul fotodiod PIN silikon dengan litar prapenguat terbina dalam, yang boleh menguatkan isyarat arus lemah dan menukarnya menjadi output isyarat voltan, merealisasikan proses penukaran "penguatan isyarat optik-elektrik".

  • Siri tiub tunggal 900nmPIN

    Siri tiub tunggal 900nmPIN

    Peranti ini ialah fotodiod PIN silikon, yang berfungsi di bawah keadaan pincang songsang.Tindak balas spektrum berjulat daripada cahaya boleh dilihat kepada inframerah dekat, dan panjang gelombang tindak balas puncak ialah 930nm.

  • Siri tiub tunggal 1064nmPIN

    Siri tiub tunggal 1064nmPIN

    Peranti ini ialah fotodiod PIN silikon, yang berfungsi di bawah keadaan pincang songsang.Tindak balas spektrum berkisar daripada cahaya boleh dilihat kepada inframerah dekat.Panjang gelombang tindak balas puncak ialah 980nm, dan tindak balas boleh mencapai 0.3A/W pada 1064nm.

  • Siri tiub tunggal PIN empat kuadran

    Siri tiub tunggal PIN empat kuadran

    Peranti ini adalah empat fotodiod PIN silikon dengan unit yang sama, berfungsi di bawah keadaan pincang songsang, tindak balas spektrum berkisar daripada cahaya boleh dilihat kepada inframerah hampir, panjang gelombang tindak balas puncak ialah 980nm, dan tindak balas pada 1064nm boleh mencapai sehingga 0.5A /W.

  • Siri modul PIN empat kuadran

    Siri modul PIN empat kuadran

    Peranti ini adalah modul fotodiod PIN silikon empat kuadran atau dua kuadran tunggal dengan litar prapenguat terbina dalam, yang boleh menguatkan isyarat arus lemah dan menukarnya menjadi output isyarat voltan, merealisasikan proses penukaran "optik-elektrik -penguatan isyarat”.

  • siri tiub tunggal PIN dipertingkatkan UV

    siri tiub tunggal PIN dipertingkatkan UV

    Peranti ini ialah fotodiod PIN silikon yang dipertingkatkan UV, yang berfungsi di bawah keadaan pincang songsang.

    Tindak balas spektrum berkisar dari ultraviolet hingga inframerah dekat.Panjang gelombang tindak balas puncak ialah 800nm, dan tindak balas boleh mencapai 0.15A/W pada 340nm.