Modul Si PIN 850nm

Model: GD4213Y/ GD4251Y/ GD4251Y-A/ GD42121Y

Penerangan Ringkas:

Ia adalah modul fotodiod Si PIN 850nm dengan litar pra-penguatan yang membolehkan isyarat arus lemah dikuatkan dan ditukar kepada isyarat voltan untuk mencapai proses penukaran penguatan isyarat foton-fotoelektrik.

dapatkan sebut harga Muat turun

Parameter Teknikal

Tag Produk

ciri-ciri

Tindak balas berkelajuan tinggi
Kepekaan tinggi

Aplikasi

Fius laser

Parameter fotoelektrik（@Ta=22±3℃）

Item #	Kategori pakej	Diameter permukaan fotosensitif(mm)	Tanggungjawab	Masa meningkat (NS)	Julat dinamik （dB）	Voltan kendalian (V)	Voltan bunyi (mV)	Nota
Item #	Kategori pakej	Diameter permukaan fotosensitif(mm)	λ=850nm，φ_e=1μW		λ=850nm	Voltan kendalian (V)	Voltan bunyi (mV)	Nota
GD4213Y	KE-8	2	110	12	20	±5±0.3	12	-
GD4251Y		2	130	12	20	±6±0.3	40	(Sudut kejadian: 0°, ketransmisian 830nm~910nm ≥90%
GD4251Y-A		10×1.5	130	18	20	±6±0.3	40
GD42121Y		10×0.95	110	20	20	±5±0.1	25
Nota: Beban ujian GD4213Y ialah 50Ω，selebihnya yang lain ialah 1MΩ